BJT又常称为晶体管，它的品种许多。按照频率分，有高频管、低频管；按照功率分，有小、中、大功率管；按照资料分，有硅管、锗管；按照结构不同，又可分红NPN型和PNP型等等。但从它们的外形来看，BJT都有三个电极，如图3.1所示。
图3.1是NPN型BJT的示意图。它是由两个PN结的三层半导体制成的。中心是一块很薄的P型半导体(几微米~几十微米)，两头各为一块N型半导体。从三块半导体上各自接出的一根引线便是BJT的三个电极，它们别离叫做发射极e、基极b和集电极c，对应的每块半导体称为发射区、基区和集电区。尽管发射区和集电区都是N型半导体，可是发射区比集电区掺的杂质多。在几许尺度上，集电区的面积比发射区的大，这从图3.1也可看到，因而它们并不是对称的。
因为发射结外加正向电压VEE，因而发射结的空间电荷区变窄，这时发射区的大都载流子电子不断经过发射结分散到基区，构成发射极电流IE，其方向与电子活动方向相反，如图3.2所示。
由发射区来的电子注入基区后，就在基区接近发射结的鸿沟堆集起来，右基区中构成了必定的浓度梯度，接近发射结邻近浓度最高，离发射结越远浓度越小。因而，电子就要向集电结的方向分散，在分散过程中又会与基区中的空穴复合，一起接在基区的电源VEE的正端则不断从基区拉走电子，如同不断供应基区空穴。电子复合的数目与电源从基区拉走的电子数目持平，使基区的空穴浓度根本保持不变。这样就构成了基极电流IB，所以基极电流便是电子在基区与空穴复合的电流。也便是说，注人基区的电子有一部分未抵达集电结，如复合越多，则抵达集电结的电子越少，对扩大是晦气的。所以为了减小复合，常把基区做得很薄(几微米)，并使基区掺入杂质的浓度很低，因而电子在分散过程中实际上与空穴复合的数量很少，大部分都能能抵达集电结。
集电结外加反向电压，其集电结的内电场十分强，且电场方向从C区指向B区。使集电区的电子和基区的空穴很难经过集电结，但对基区分散到集电结边际的电子却有很强的吸引力，使电子很快地漂移过集电结为集电区所搜集，构成集电极电流IC。与此一起，集电区的空穴也会在该电场的效果下，漂移到基区，构成很小的反向饱满电流ICB0。
VCE=0V时，b、e间加正向电压，这时发射结和集电结均为正偏，相当于两个二极管正向并联的特性。
VCE≥1V时，这时集电结反偏，从发射区注入基区的电子绝大部分都漂移到集电极，只要小部分与空穴复合构成IB。vCE1V今后，IC添加很少，因而IB的改变量也很少，可疏忽vCE对IB的影响，即输入特性曲线都重合。
关于一确认的iB值，iC随VCE的改变构成一条曲线，给出多个不同的iB值，就发生一个曲线V，IC=ICEOBJT截止，无扩大效果，因而对应IB=0的输出特性曲线以下的区域称为截止区如图3.6所示。
②IB﹥0，VCE1V，iC随IB的改变不遵从的规则，并且iC随VCE的改变也是非线性的，所以该区域称为饱满区。
在这个区域中IC简直不随VCE改变，对应于每一个IB值的特性曲线都简直与水平轴平行，因而该区域称为线性区或扩大区。
BJT的参数是用来表征管子功能好坏相适应规模的，它是选用BJT的依据。了解这些参数的含义，关于合理运用和充沛的使用BJT到达
1.流扩大系数BJT在共射极接法时的电流扩大系数，依据作业状况的不同，在直流和沟通两种情况下别离用符号和标明。其间上式标明:BJT集电极的直流电流IC与基极的直流电流IB的比值，便是BJT接成共射极电路时的直流电流扩大系数，有时用hFE来代表。
可是，BJT常常作业在有信号输人的情况下，这时基极电流发生一个改变量，相应的集电极电流改变量为，则与之比称为BJT的沟通电流扩大系数，记作即
（1）集电极-基极反向饱满电流ICBO。标明发射极开路，c、b间加上必定的反向电压时的电流。
（2）集电极-发射极反向饱满电流（穿透电流）ICEO。标明基极开路，c、e间加上必定的反向电压时的集电极电流。
（1）集电极最大答应电流ICM。标明BJT的参数改变不超越答应值时集电极答应的最大电流。当电流大于ICM时，
（2）集电极最大答应功耗PCM。标明BJT的集电结答应损耗功率的最大值。超越此值时，
的功能将变坏或焚毁。（3）反向击穿电压V（BR）CEO。标明基极开路，c、e间的反向击穿电压。
（2）要注意作业时反向击穿电压，特别是VCE不该超越V（BR）CEO。（3）要注意作业时的最大集电极电流IC不该超越ICM。
（4）要依运用上的要求：是小功率仍是大功率，低频、高频仍是超高频，作业电源的极性，β值巨细要求。